【IGBT研发工程师】
职位描述：
1.进行MOSFET, IGBT, FRD等功率半导体的器件及工艺仿真,版图设计和工艺流程制定；
2.器件封装，测试，特性及失效分析；
3.工艺和设计方案优化，提高产品性能及良率；
4.从产品定义到开发计划的制定与实施以至定型量产的项目管理；
岗位要求：
1.功率半导体相关工作经验2年（含）以上，熟悉MOSFET，IGBT, FRD等功率半导体的产品开发流程；
2.具有Wafer Fab实际经验和MOSFET，IGBT, FRD等功率半导体产品的实际开发/生产经验；
3.熟悉版图设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)
4.具有项目管理能力，主动沟通能力及团队协作能力；
相关待遇：
1) 公司提供系统的岗前培训（包括行业、产品知识，技术技能等）；
2) 交五险一金（养老、医疗、失业、生育、工伤和住房公积金）；
3) 提供法定节假日、年假、婚假、生育假、有薪病假等；
4) 公司有完善的考核体系和晋升机制；
5) 其他的福利制度，如生日券，节日福利，员工慰问金，员工年度体检，一年一次旅游。
6）成为核心员工，获得公司股权激励。
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